英特尔早在两年前对外宣称该公司将在中国大连投产25亿美元来建造300毫米晶圆厂。该晶圆厂将成为中国第一大芯片制造厂，初期将采用90纳米技术来生产芯片组。     

    英特尔发言人ChuckMulloy上周四通过邮件表示，大连的投产计划没有发生变化。该公司仍计划在大连生产芯片组，开始阶段将采用90纳米工艺。不过他指出，英特尔或许会有65纳米的授权，当然这需要公司高层在随后的技术会议上达成最终决议。     

    英特尔将与今年晚些时候开始安装设备，预计2010年将开始生产，也可能会提前到今年年末。    

    一些来自晶圆设备领域的不愿透露身份的人士表示，该晶圆厂的时间表已经被整体推迟3个月到6个月。这些消息人士表示，设备领域的厂商都在怀疑这一项目是否能如期进行。     

    Mulloy表示，“请记住，这是我们在未来二十年里在新地点投产的第一个工厂项目，我们会慎重考虑一切。”     

    VLSI研究机构（VLSIResearchInc.）的总裁RistoPuhakka表示，他没有听说位于大连的项目被推迟，也不会听信这些关于该项目将被取消的小道消息。