晶圆处理能力方面，半导体整体为同比（YoY）减少0.2%,环比（QoQ）增长0.6%,MOSIC整体为同比增长0.1%,环比增长0.6%,继续持平。旨在从0.12~0.06μm生产线向0.06μm以下生产线过渡的细微化投资十分活跃，但是为扩大晶圆处理能力的增产投资却稍显逊色：其冲抵了老生产线废弃导致的晶圆处理能力下降。增产投资的实施，从半导体厂商的企业形态看，主要是硅代工厂商，从晶圆直径来看，主要面向300mm晶圆进行。而在硅代工厂商之外的垂直整合型半导体厂商（IDM）因进行重组，废弃了200mm以下的量产线。

    晶圆的实际投入量方面，除部分特例外，均持续了YoY增20~30%、QoQ增近10%的增长率。其中，从半导体厂商的企业形态来看，硅代工厂商的增长率比较显着，而从工艺技术来看，60nm以下工艺的增长率较为显着。硅代工厂商的投入量为YoY增67.8%,QoQ增10.6%,达到40万2200片/周（以200mm晶圆换算，下同）。60nm以下工艺晶圆的投入量为QoQ增13.0%,达到78万500片/周。

    综上所述，半导体整体的量产线开工率为YoY增18.6个百分点，QoQ增2.1个百分点，达到95.6%,MOSIC整体为YoY增17.1个百分点，QoQ增长2.5个百分点，达到95.7%,均超过了95%.尤其是需求量较大的80nm以下工艺、300mm晶圆以及硅代工厂商的开工率更是达到了超过98%的“超满负荷运转”状态。